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氮化铝与0.1～50重量%的第ⅢB族元素氮化物混合,在非氧化气氛中于1500～2200℃烧结,生成导热的氮化铝制品。具体做法为:将含有0.1～50重量%。

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AlN熔点为3300℃,因此AlN陶瓷的烧结温度高达1900℃以上,严重制约了其在工业上的应用,添加合适的烧结助剂是降低AlN陶瓷烧结温度的重要方法。二、烧。

本发明涉及氮化铝烧结体及其制造方法。背景技术近年,电路基板的小型化、功率模块的高输出化正在推进。作为功率模块等所使用的电路基板,利用钎料在陶瓷烧结体表面接合金。

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用途:氮化铝基板及MIM元件的烧结温度:2000℃炉膛有效尺寸:W。苏州汇科机电设备电子陶瓷新能源材料金属材料热处理。

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额定温度2000(℃)主要用途主要用于透明陶瓷的真空烧结和气氛烧结工艺。如氧化铝,氮化铝、蓝宝石晶片等。产品认证CE是否跨境货源否立式真空烧结炉VF2000。

放电等离子烧结(SPS)技术烧结致密AlN陶瓷刘军芳付正义张金咏(武汉理工大学)利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝,不加任何添加剂,在1800°C的烧结温度、2。

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HTCC高温共烧陶瓷、氢化铝产品高温共烧陶瓷元器件与氮化铝产品都是指产品的烧结。氮化铝(AlN)苏州珂玛材料技术因液相烧结且晶界无相,晶体结构非常致密。

通常采用的烧结方式是引入烧结助剂、放电等离子烧结烧结以及微波烧结氮化铝陶瓷。放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering,SPS)是一种新颖的具有独特技术。