2009年9月7日-铁粉还原在一些产品上很实用,我们的两个产品在用,但能改成其他工艺的例如氢化还原,我们也有两个产品在用,一些个体户说用铁泥做氧化铁红,具体工艺不太。

一种消除硅片粘接面线痕的方法,涉及多晶硅切割技术领域,由粘接垫板(1)、硅棒(4)、胶层(2)和刮胶工具(3)组成,通过改变胶层(2)的硬度,使钢线切割到胶层(2。

研究表明:优化的铸锭工艺可以有效消除多晶硅锭的红外阴影,减少位错,减少少子寿命图形中低少子区域的比例,提高电池转换效率。参考文献:[1]LiuLJ,Na。

多晶硅吸除及其在LSI中的应用,器件工艺,LSI,淀积,金属杂质,氮化硅。一、引言原始硅中的金属杂质,以及在器件工艺中由试剂、容器、炉管等所引入的杂质,它们在器件。

由于这种氧化夹层的存在,用多晶硅拉制单晶硅时会产生“硅跳”。为了消除氧化夹层,一般应注意做到:①严格控制入炉氢气的纯度,保证氢中的氧和水分降到规定值。

周浪摘要摘要目前在太阳能电池生产领域中,铸造多晶硅电池占有主导地位,但是其内部存在的高密度位错和晶界严重影响其电学性能,从而影响多。

提供一种方法简易、成本低、工艺安全和较少污染的多晶硅的除硼方法。步骤为:将多晶硅块粉碎,球磨,筛选得硅粉;将硅粉用有机溶剂去油处理,并去除硅粉中的铁粉;将。

本实用新型属于一种利用磁铁连续去除粉状原料中的铁粉杂质的装置。背景技术:目前,在物理法生产太阳能级多晶硅的工艺中,一个重要的原则是尽量。

低消耗、高质量生产多晶硅是硅材料厂家所追求的目的。该文对多晶硅生产过程中出现的黑棒现象,从理论和实践两方面进行了分析,并提出了消除办法。多晶硅发黑原因消除蒲晓。

多晶硅表面发黑原因及消除-多晶硅表面发黑原因及消除蒲晓东(峨嵋半导体材1"4研究所I摘要低消耗、高质量生产多晶硅是硅利料厂家所追求的。