2019年7月3日-SIC1182K特有的SNS管脚,可以在有源钳位功能和短路保护检测功能之间快速切换,从而保证全碳化硅器件的安全工作。背后的奥秘是通过不同的管脚的状态。

本实用新型涉及一种碳化硅MOS管驱动保护电路,包括驱动变压器T2及与驱动变压器原。向控制信号发生器传送短路信息信号,其包括关于电负载潜在地存。

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semicondu。短路测试是研究功率器件短路特性、测试短路保护电路性能的重。

摘要:为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充。短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiCMOSFET短。

其短路承受能力会更弱。为了让碳化硅器件能更加安全可靠地在电力电子设备中运行,对其短路特性及其故障保护电路的研究具有重要的意义。本文对SiCMOSFE。

2016年7月9日-关键词碳化硅;功率器件;短路特性;短路保护中图分类号TN303文献标识码AReviewofSiliconCarbidePowerTransistors:Short-CircuitEvaluati。

摘要:碳化硅(SiC)器件作为一种新型功率器件,近年来以其适用于高温高频开关工作。11高嵩,史政记,倪原;高频脉冲电解加工电源快速短路保护电路设。

这个脉冲(短路1000A)电容没有放完电以前可控硅我们是无法主动控制管段的,所以,对于硅来说后级短路保护感觉形同虚设,注意我说得是对于可控硅原件的保护。

SiCMOSFET短路保护电路通过英飞凌Eicedriver1ED020I12-F2实现。1ED020I12-F2采用无磁芯变压器技术来隔离信号,短路保护通过退饱和检测功能实现。1ED。

本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET短路保护电路,包括碳化硅MOSFET驱动模块、碳化硅MOSFET导通电压检测模块、分压取样模块、参考电平模块和比较输出模。

2020年3月1日-本书介绍了碳化硅半导体电力电子器件的原理、特性和应用,概括了这一领域近十年来的。3.6.7两种短路保护方法测试结果对比分析3.6.8三种SiC器件的。

2016年6月5日-提供碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性文档免费下载,摘要:第14卷第6期电。摘要:器件的短路能力对整流器及其故障保护具有极其重要的意义。

2011年4月3日-许多工程师面往往忽略了短路保护时间设计的问题,因此本文如何确定短路保护时间作一些探讨,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。短路模型。

企查查提供详细的一种碳化硅器件短路保护电路及方法商标查询信息,其中包括一种碳化硅器件短路保护电路及方法注册号、一种碳化硅器件短路保护电路。

2018年3月9日-揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiCMOSFET短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiCMOSFET短路保护电路提供一定的指导。关键词:。

碳化硅MOSFET在电动汽车、新能源发电等领域被广泛应用。然而,较高的开关速度引入的电压过冲、电流过冲问题,以及较弱的短路承受能力导致的短路保护问题。

如果将硅(Si碳(C)组成碳化硅(SiC)化合物,则形成宽禁带半导体(3V)。普通的硅(Si)半导。这对于一些需要依赖于MOS管自身反向导通二极管的电路来说,反向导通二极管导通电。

2017年9月1日-碳化硅(SiC)金属.氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在高频,高压,大功率场合的研究和应用越来越多,能够提升变流器的效率和功率密度,而短路保护技术是Si。